امروز می خوام بهتون یه وبلاگ خوب معرفی کنم که توش بهترین مدارات الکترونیکی رو پیدا می کنید.

برای ورود به وبلاگ مدارات الکترونیک کلیک کنید

و برای دیدن عناوین وبلاگ اینجا کلیک کنید

لیزرهای دیودی

طی چند سال اخیر لیزرهای دیودی به توانایی خروجی بالاتر ، ابعاد کوچکتر ، کارایی بالاتر ، اعتماد پذیری بیشتر و از همه اینها مهمتر به پوشش طول موجی پهنتر از IR میانه تا انتهای آبی رنگ طیف الکترومغناطیس ، دست یافته‌اند.
برای سالهای متمادی ، دستیابی به منابع نوری تکفام کوک همدوس ، با عملکرد آسان و ارزان از IR میانه تا UV ، هدفی برای متخصصان طبف بینی بوده است. به غیر از طیف بینیهای متداول جذبی و فلوئورسانی ، طیف بینی رامان و بیضی سنجی نیز از لیزرهای دیودی به عنوان منابع نور همدوس بهره‌مند شده‌اند. 

به تازگی متخصصان طیف بینی ، فنون با حساسیت زیاد مثل طیف بینی درون حفره را با لیزرهای دیودی ترکیب کرده‌اند. در طیف بینی بنیادی ، کاربرد منابع لیزری جدید به تعیین ساختار رادیکالهای آزاد یا گونه‌های خوشه‌ای عجیب و غریب منجر شده است. برای نظارتهای اتمسفری ، لیزرهای دیودی دمای اتاق که در 8 تا 13µM نشر می‌کنند، پیشرفتی اساسی به سمت بهبود کیفیت هوا هستند.
در پزشکی ، کاربرد لیزرهای دیودی در مقطع نگاری نوری و در تجزیه غیر تزریقی خون ، مثلا پیش بینی سطح گلوکز خون ، تشخیص پزشکی را با انقلابی مواجه کرده است. در صنعت ، حسگرهای شیمیایی ارزان قیمت در کنترل فرآیند اهمیت یافته‌اند، برای کنترل در محل فرآیندهای احتراقی ، آشکار سازی پسماندهای گازی در نقطه تخلیه و کنترل کیفیت در صنایع دارویی و غذایی لیزرهای دیودی دیگری نیز هستند که برای اندازه گیریهای جریان ، شمارش و سنجش ابعاد ذرات سودمندند. 

ارتعاشهای خوب 

IR میانه، یکی از محدوده‌های طیف الکترومغناطیسی است که لیزرهای دیودی در آن به ایفای نقش پرداخته‌اند. مطالعه ارتعاشهای بنیادی مولکولها که در این ناحیه اتفاق می‌افتد، تا کنون بر لیزرهای دیودی ساخته شده از نمکهای سرب که با سرمازایی خنک شده‌اند متکی بوده است. با این حال تجهیزات خنک کننده با سرمازایی بر هزینه‌های خرید و عملیاتی چنین لیزرهایی بسیار می‌افزاید. لیزرهای دیودی IR میانه که از ترکیبات همانند ساخته شده‌اند و در دمای اتاق کار می‌کنند، کم کم به عنوان جانشینی برای حسگرهای شیمیایی ارزان مطرح می‌شوند.
گفتنی است این حسگرها برای آشکار سازی اتمسفری و آلودگی و همچنین نظارت بر فرآیندهای صنعتی بکار می‌روند. مثلا ، نیم رساناهایی مانند aLgAssB/iNgAaSb که تا زیر 3000nm کار می‌کنند. دستیابی به اکثر ارتعاشهای کششی C_H را مقدور می‌سازند. نشر لیزر در این طول موجها ، به دلیل وجود گاف نوار باریک که ساختار الکترونی این مواد را می‌سازد، امکان پذیر است. در نتیجه فقط مقدار بسیار کمی انرژی برای ارتقای الکترونها به انرژی بالاتر نوار رسانش ، مورد نیاز است.
با این حال مهیجترین پیشرفت در آشکارسازی IR میانه ، ساخت لیزرهای آبشار کوانتومی (QCL) است. این لیزرها را اولن بار دانشمندان بل لبز - لوسنت در آمریکا در سال 1994 ارائه کردند که با روشی کاملا متفاوت از لیزرهای دیودی نیم رسانای معمول کار می‌کنند. طول موج نوری که آنها نشر می‌کنند به گاف نوار نیم رسانا بستگی ندارد، بلکه بیشتر به ضخامت لایه‌های سازنده نیمرسانا در قطعه وابسته است. 

لیزرهای دیودی در عمل 

یک لیزر نیم رسانا اساسا از اتصال بین یک نیم رسانای نوع P (غنی از "حفره‌های" مثبت) و یک نیم رسانای نوع n (غنی از الکترونها) تشکیل می‌شود. بر اثر عبور جریان الکتریکی از محل اتصال ، الکترونها و حفره‌ها می‌توانند باز ترکیب شوند که در این فرآیند نور نشر می‌شود. طول موج نشر با گاف نوار ماده نیم رسانایی که دیود را می‌سازد، تفاوت انرژی لازم برای صعود الکترون از نوار انرژی والانس پایینتر به نوارهای رسانش پرانرژی‌تر در بالا تعیین می‌شود. در وسایل ساده با تغییر جریان الکتریکی بکار رفته یا دمای لیزر ، تنظیم طول موج مقدور می‌شود.
با ماده گالیم آرسنید (GaAs) خالص یک طول موجی ساخته شد، اما در عمل به علت نیاز و دشواری در تطابق شبکه ، این امر با محدودیت مواجه می‌شود. لیزرها با هر دو روش رشد همراستای بلور با باریکه مولکولی و رسوب دهی شیمیایی بخار فلز - آلی ساخته می‌شوند. این لیزرها با داشتن 50 درصد تبدیل الکتریسیته به نور ، کارآمدترین نوع لیزرند که در نتیجه باعث کاهش هزینه عملیاتی می‌شود.
هرگاه لایه به اندازه کافی نازک باشند (کمتر از 20nm) مکان الکترونهای نیم رسانا فقط در یک بعد محدود می‌شود: حالتهای انرژی در نوارهای والانس و رسانش کوانتیده شده و فقط ترازهای انرژی معینی مجاز می‌شود. لذا لایه‌های نیم رسانا مانند چاههای کوانتومی خواهند بود و می‌توان آنها را با لایه‌های غیر فعال (غیر لیزر ساز) روی هم چید و لیزرهایی ساخت که قادرند نور خروجی پر توانتری تولید کنند. در این QCL ها ، الکترونها از چند مرحله پی در پی افت انرژی ، می‌گذرند و همزمان با حرکت در نوعی آبشار الکترونی ، فوتون نشر می‌دهند. فاصله نزدیک نوارهای انرژی الکترونی ، نشر نور در گستره IR میانه تا دور را ممکن می‌سازد. چندین گروه پژوهشی ، در حال رقابت برای تولید نوع تجاری QCL در گستره 6 تا 12µm هستند که دریچه مهمی را بر روی نظارت اتمسفری ، خواهد گشود.
در سال 1998 گروه فدریکاکاپاسوازبل لبز - لوسنت تکنولوژی ، لیزری تولید کرد که دارای شبکه بلوری AlInAs/InGaAs با فواصل بین اتمی منطبق با شبکه InP بود و می‌توانست در 8,3µm با توان تپی 180mW در دمای اتاق ، نشر کند. امروزه می‌توان لیزرهایی را که در این محدوده کار می‌کنند از GaAs/AlGaAs تهیه کرد، که هم ارزانترند و هم آسانتر ساخته می‌شوند. هر چند نتایج اخیر گروه کاپاسو در آشکارسازی مقادیر ناچیز گازهایی مانند CH4 ، N2O هنوز به حد حساسیت آشکارسازی لیزرهای نمک سرب ، یعنی در حد ppb یا کمتر ، نرسیده است. 
لیزرهای حفره عمودی نشر کننده از سطح (VCSEL) نوعی لیزر جدید هستند. آنها که عمدتا برای مخابرات نوری ساخته شده‌اند، برای کار در طول موج بلند و با خروجی تپی 2,9µm در دمای اتاق ، نیز بکار می‌روند. آنها کیفیت باریکه بهتری ایجاد می‌کنند و از بسیاری از لیزرهای جانشین که در طول موجهای بلندتر کار می‌کنند، آسانتر ساخته می‌شوند. در سال 1997، دیرک رله ، برند زومپف و هاینتس - دتلف کرونفلت ، از دانشگاه صنعتی برلین ، روش دیگری برای تولید تابش IR میانه برای آشکارسازی گازی ، ارائه دادند. آنها در یک بلور AgGaSe2 ، خروجی دو لیزر دیودی IR نزدیک (یکی در 1290µm و دیگری 1572nm) را باهم مخلوط و نوری با فرکانس متفاوت در حدود 7,2µm) 1380cm-1) برای شناسایی SO2 تولید کردند. 

کنترل در خط

هم اکنون لیزرهای دیودی نیم رسانا در IR نزدیک ، به ویژه در حوالی طول موجهای مخابراتی 1300 و 1550nm ، کاملا توسعه یافته‌اند. بهبود فنون ساخت در حال حاضر به معنی امکان پذیر شدن ساخت لیزرهایی است که در طول موجهای بسیار دقیقی کار می‌کند. مثلا ، لیزرهای پسخوری توزیع یافته (DFB) که معمولا با قرار دادن یک شبکه گزینشگر درون حفره لیزر ، برای صاف کردن طول موجهای مطلوب ، ساخته می‌شوند، به عنوان حسگرهای شیمیایی ارزان قیمت در نظارت بر انتشار آلاینده‌ها و کنترل فرآیند، بالقوه مفیدند.
گروه من در دانشگاهها درزفیید ، برای استفاده از لیزرهای دیودی در کنترل فرآیند در خط از طریق نظارت در محل ، به ویژه در محیطهای خطرناک که در آن باریکه لیزر با استفاده از تار نوری به درون واکنشگاه هدایت می‌شود، فنونی را توسعه داده است. برای کنترل فرآیند و بهبود کارایی ، می‌توان تجزیه سریع محتوی واکنشگاه را به یک حلقه پسخور متصل کرد. با همکاری مارتین پمبل از دانشگاه سالفورد ، توانستیم به واکنشهایی که درون واکنشگاهها به طریق رسوب دهی شیمیایی بخار انجام می‌گیرند نظر بیندازیم. گفتنی است این واکنشها ، فهم مهمی برای تولید بسیاری از پوشش دهیهای ظریف سطحی را فراهم می‌سازند. 

محدویتهای طیف بینی با لیزر دیودی 

یکی از محدویتهای طیف بینی با لیزر دیودی آن است که به علت باریکی گستره تنظیم طول موج ، یک لیزر معمولا فقط می‌تواند یک گونه شیمیایی را شناسایی کند. رانالد هانسون و همکاران در دانشگاه استانفورد با بکار گیری روشی موسوم به تقسیم چندگانه طول موج (WDM) بر این مشکل غلبه کردند و توانستند در یک اتاقک احتراق ، چند گونه مختلف و خواص آنها را مشاهده کنند. روش WDM عبارت است از ارسال همزمان چند طول موج مختلف از درون یک تار نوری. هانسون و گروهش با استفاده از سه لیزر دیودی با تنظیبم جداگانه ، توانستند بطور همزمان غلظت H2O ، O2 و نیز دما و فشار را در شعله H2 _ O2.
مسئله دیگر در آشکار سازی همزمان چند گونه شیمیایی ، احتمال "خط روی خط افتادن" یا تداخل علائم است. دانشمندان CSO Mesure در فرانسه ، برای اجتناب از این مشکل به هنگام اندازه گیری تابش زیر قرمز در فضا ، از یک لیزر دیودی IR نزدیک که روی مقادیر جذبی چرخشی - ارتعاشی C2H2 (در حدود 1530nm) تثبیت شده بود، به عنوان منبع مرجع استفاده کرده‌اند.
کار آنها بخشی از یک پژوهش 5 ساله مربوط به تداخل سنج زیر قرمز ارزیابی اتمسفری (IASI) اما مهندسان مخابرات برای جلوگیری از مشکل خط روی افتادن ، وقتی که چند طول موج مدوله شده کم فاصله در فرکانسهای GHz از درون یک تار نوری ارسال می‌شود، از همین رویکرد استفاده می‌کنند. "قفل کردن" طول موج لیزر روی استانداردهای مولکولی نظیر HCN و C2H2 ، هر گونه تداخل بین علائم مختلف را متوقف می‌کند. 


خروجی پر انرژی 

دانشمندان دانشگاه کالیفرنیا در سانتریابارا با استفاده از بلورهای لیتیم نیوبات (LiNbOsub>3) یا پتاسیم فسفات. فرکانسای خروجی از لیزرهای دیودی را در انتهای پر انرژی‌تر طیف الکترومغناطیسی دو برابر کرده‌اند. این کار می‌تواند در ناحیه آبی فرابنفش طیف الکترومغناطیسی ، توانهای خروجی در حد 0,1mW تولید کند. در این طول موجها ، لیزرهای دیودی قادرند عناصری مانند آلومینیم (394nm) ، گالیم (403nm) و ایندیم (410nm) را شناسایی و رشد لایه‌های نیمرسانا ، از جمله ساخت سایر لیزرهای دیودی را تعقیب کنند. در مقایسه با لامپهای کاتد تو خالی متداول که در طیف بین جذب اتمی بکار می‌روند.
لیزرهای دیودی ، کوک پذیرند (شناسایی چند گونه‌ای امکان پذیر می‌سازند)، پر شدت ترند (بنابراین داده‌ها را سریعتر کسب می‌کنند) و کنترل دقیقتری را مقدور می‌سازند. انتهای آبی طیف الکترومغناطیسی ، یکی از فعالترین حوزه‌های پژوهشی درباره لیزرهای دیودی است که در آن ، لیزرهای بر پایه GaN ، شدت و سرعت انتقال داده‌های ذخیره شده را به حداکثر می‌رسانند. برای شیمیدانان ، لیزرهای آبی ، عملا برای دستیابی به گذارهای الکترونی مولکولهایی مانند O3 و NO2 مفید است و به ساخت سیستمهای قابل حمل نظارت اتمسفری می‌انجامد. 

حسگرهای تار نوری 

گسترش سریع صنعت مخابرات ، جدا از کابلهای تار نوری برای انتقال داده‌ها ، به توسعه حسگرهای تار نوری برای ارسال نور به مکانهای دور دست منجر شده است. حسگرهای تار نوری می‌توانند یا ذاتی باشند یا عارضی ، در اولی ، تغییرات در محیط مستقیما بر خواص تار اثر می‌گذارد. مثلا در تنش سنجها ، تار ، تغییر در محیط مستقیما بر خواص تار اثر می‌گذارد. مثلا در تنش سنجها ، تار ، تغییر شکل ناشی از خمش خود را حس می‌کند. بر اثر خم شدن تار ، نور به بیرون از آن نشت می‌کند. از طرف دیگر ، حسگرهای عارضی تغییر محیطی را به تغییر در خواص عبور نور در تار تبدیل می‌کنند.
تارهای نوری بر اساس بازتاب درونی کلی باریکه نور عمل می‌کنند، بنابراین هرگاه ضریب شکست نور در تار تغییر کند، نور می‌تواند به بیرون نشت کند. از این مسئله می‌توانیم برای آشکار سازی تغییر ارتفاع سطح مایع یا برای اندازه گیری با تفکیک پایین فشار درون مایع استفاده کرد. بخشی از میدان الکترومغناطیسی نور لیزر به خارج از تار هم گسترش می‌یابد و مولکولهای در سطح یا نزدیک تار می‌توانند این موج محو شونده را جذب کنند.
در سال 1997، یواخیم کاستز و ماوروس تا که از مؤسسه فرانهوفر در آلمان از این پدیده برای آشکار سازی هیدروکربنها در آب استفاده کردند. روشی که آنها استفاده کردند یعنی تجزیه موج محو شونده با لیزرهای دیودی (Ewald) ، عبارت است از استفاده از تارهای نقره هالید در IR میانه که با فیلم بسیاری نازکی روکش شده است. هیدروکربنها درون این اندود بسپاری نفوذ می‌کنند و از روی جذبهای اثر انگشتی‌شان شناسایی می‌شوند. به علت جذب قوی آب در ناحیه IR استفاده از طیف بینی معمولی عبوری IR امکان پذیر نیست. 

حکایتهای درونی 

طیف بینی جذب درون حفره ای لیزر (Iclas) فناوری حساسی است که طیف بینی سال با لیزرهای گازی بزرگ و لیزرهای رنگینه‌ای بکار برده می‌شده است. این روش شامل تقویت جذب نور لیزر ، با قرار دادن نمونه درون حفره لیزر به جای خارج آن است. فوتونهای لیزر بین دو آینه انتهایی سازنده حفره لیزر به جلو و عقب بازتابیده می‌شوند و عملا طول مسیر جذب را هزاران مرتبه افزایش می‌دهند. پیترتوشک و والری بف در دانشگاه هامبورگ ، از این اصل برای ساختن یک آشکار ساز بسیار کوچک و حساس آلودگی گازی استفاده کرده‌اند.
لیزر دیودی مورد استفاده ، عملا برای تأمین توان لیزر 20cm آنهاست که از یک تار نوری فلوئور و زیرکوناتی دوپه شده با اتمهای پروزئودیمیم و ایتربیم تشکیل شده بود. نور لیزر دیودی در 850nm ، اتمهای دوپه کننده را در تار برانگیخته و نور مرئی نشر می‌کند. گفتنی است همانطوری که که تقویت می‌شود، اگر نمونه یک گاز در یک انتهای حفره در جلوی آینه نیم باز تابیده قرار داده شود، متخصصان طیف بینی می‌توانند طیف جذبی تقویت شده را آشکار کنند.

لیست انواع نرم افزار های رشته برق و الکترونیک - دانلود رایگان و مستقیم

Agilent Advanced Design System v2008 01 
نرم افزار قدرتمند اتوماسیون طراحی الکترونیکی که به طذاحان کمک می کند تا در زمینه طراحی مدارات الکترونیکی دستگاههایی مانند تلفن ، پیجر ، شبکه های بی سیم رادار و... عمل کنند. 

Agilent Genesys v2008 01 
مجموعه نرم افزارهای حرفه ای در طراحی مدارات الکترونیکی و الکتریکی با بانک کامل اطلاعاتی پیشرفته 

Altium DXP 8.1 
هر آنچه جهت طراحی ، ساخت ، برنامه نویسی ، آزمایش مجازی نیاز دارید به کمک این برنامه می توانید در کوتاهترین زمان ممکن برد خود را طراحی کرده و سپس IC های موجود در طرح خود را برنامه ریزی کنید و سپس پروژه خود را بصورت مجازی مورد آزمایش قرار داده و بدون صرف هزینه از کارکرد آن اطمینان پیدا کنید. 

Autodesk AutoCAD Electrical 2009 
نسخه کامل و 32 بیتی نرم افزار اتوکد الکتریکال 2009 از شرکت اتودسک ، به کمک این نرم افزار کلیه نیازهای طراحی مدارات الکتریکی در انواع مختلف برطرف خواهد شد. قابلیت طراحی سه بعدی طرح نهایی ، طراحی مدارات چند لایه ، چاپ و تولید طرح بصورت کاملا حرفه ای به همراه بانک اطلاعاتی کاملی از قطعات مثل  هاIC و...

CADDIE 5.3 Professional 
یکی از نرم افزارهای حرفه ای و پرکاربرد CAD با امکانات گسترده و مناسب جهت طراحی مدارات الکترونیک 

CADDY++ Electronical 1.1 
نرم افزار حرفه ای طراحی دیاگرام پروژه های الکترونیک CirCAD v4.9 نرم افزار پیشرفته و معروف طراحی قطعات و مدارات الکترونیکی 

CircuitMaker 2000 Final 
نرم افزار ساده و پر قدرت جهت طراحی ندارات چاپی به همراه بانک کامل قطعات 

CSiEDA 5.2 SE 
نرم افزار تخصصی مدلسازی و طراحی سه بعدی بردهای PCB با قابلیت های ویژه و بانک کامل قطعات 

Dolphin SMASH v5.8.3 
طراحی و ساخت مدارات میکروسکوپی به همراه امکانات تست 

Dolphin Soc GDS v 5.91 
طراحی و ساخت مدارات میکروسکوپی با امکانات تست 

ELCAD & AUCOPLAN v7.11 
نرم افزار بسیار قدرتمند جهت طراحی دقیق مدارهای چند لایه و معمولی با بانک اطلاعاتی کامل ، قابلیت چاپ دقیق و پیشرفته 

Electronics Workbench Multisim v10 
آخرین نسخه از نرم افزار طراحی پیشرفته ، با قابلیت های پیشرفته جهت طراحی ، و تست انواع مدارات الکترونیکی در سایزهای مختلف به همراه بانک کامل قطعات الکترونیک ، امکانات چاپ و تولید صنعتی و بسیاری امکانات دیگر 

Electronic Workbench Ultiboard v 9.1 
یکی از نرم افزارهای دقیق جهت ساخت مجازی طرح نهایی و همچنین امکانات چاپ و تکثیر برد طراحی شده جهت تولید صنعتی به همراه امکانات Multisim جهت طراحی مدارات الکترونیکی 

Flomerics FLOTHERM v6.1 
نرم افزار حرفه ای محاسبه گر سه بعدی درجه حرارت مدارات و قطعات الکترونیکی و اثر حرارت در کارکرد مدارات الکترونیکی 

FPGA Express 3.11 
نرم افزار تخصصی جهت تبدیل FPGA از کد VHDL بصورت کاملا حرفه ای و پیشرفته 

Hspice A-2007.09 
نرم افزار طراحی و تست مدارات چاپی با تکنولوژی جدید و قابلیت طراحی مدارات در چند ثانیه 

IC Master Full Edition 
کامل ترین بانک موجود از اطلاعات مربوط به IC ها و نحوه استفاده از آنها در مدارات و کاربردهای مختلف الکترونیکی 

Keil Microvision 2 
مجموعه نرم افزارهای پیشرفته و حرفه ای جهت برنامه سازی و پروکرام کردن میکروکنترلها 

LabVIEW v8.5 Touch Panel Module 
نرم افزار تخصصی و پیشرفته که بوسیله آن شما به سرعت قادر خواهید بود که HMI یا Human Machine Interface را طراحی و اجرا کنید 

NI Circuit Design Suite Pro v10.0.1 
نرم افزار حرفه ای و پیشرفته طراحی قطعات و مدارات الکترونیکی به همراه بانک اطلاعات 

NI Lab VIEW v8.5 
نرم افزار عالی و کاربردی برای مهندسی الکترونیک و برق جهت طراحی مدارات الکترونیکی و.... 

OrCAD 10F 
نرم افزار معروف ORCAD جهت طراحی پیشرفته مدارات الکتریکی با امکانات بسیار قوی در طراحی و کنترل سیستم طراحی طراحی شده با قابلیت های حرفه ای 

ORCAD 16 
نسخه جدید ارائه شده از نرم افزار معروف OrCAD با قابلیت های جدید و پشتیبانی از ویندوز ویستا 

Protel DXP 2004 SP2 
نسخه پیشرفته نرم افزار طراحی مدارات چاپی با امکانات پیشرفته تست و بانک اطلاعاتی از قطعات الکترونیکی موجود جهت تسریع در ساخت با دقت بالا و بدون خطا به همراه آخرین سرویس پک ارائه شده 

Proteus Professional 7.20 
نرم افزار حرفه ای در طراحی مدارات الکترونیکی بخصوص در زمینه روباتیک و قابلیت پروکرام کردن میکروکنترلرها 

Proteus VSM 7.1 SP4 
نرم افزار قدرتمند شبیه سازی مدارات الکتریکی و میکروپروسسورها و میکروکنترلها و طراحی مدارات 

PSpice v9.2 
نرم افزاری معروف جهت طراحی حرفه ای مدارات الکتریکی به همراه بانک اطلاعات کامل و جامع و قابلیت آنالیز و تحلیل و شبیه سازی مدارات الکترونیک 

SynaptiCAD AllProducts v12.34a 
مجموعه تمامی نرم افزارهای ارائه شده از شرکت SynaptiCAD برای طراحی و ساخت مدارات و آزمایشات مختلف مدارات الکترونیک 

Synplify 5.7 
نرم افزار پیشرفته و حرفه ای جهت تلفیق DSP برای مهندسین. 

TS Controls Emulator 8051 v1.01 
شبیه ساز برنامه های کنترلرهای 8051 جهت اجرای برنامه قبل از انتقال آن به سخت افزار

اصول طراحی مدارات فرکانس بالا :

در طراحی مدارات فرکانس بالا عناصر پارازیتی نقش زیادی پیدا می کنند . یعنی دیگه استفاده از مدل های خیلی ساده به جای عناصر در روابط تحلیلی جواب تا حدودی نزدیک رو هم به شما نمی ده. برای طراحی می تونید از نرم افزار های طراحی RF استفاده کنید چون روابط تحلیلی خیلی پیچیده میشه و البته باید طراحیتون معلوم باشه که برای مجتمع سازی می خواین طراحی کنین یا نه.

طریقه ساخت وبلاگ ، چگونه یک وبلاگ برای خود بسازیم؟

برای ساخت وبلاگ باید به یک سرویس دهنده وبلاگ مراجعه کنید که تعدادی از آنها را برای شما در زیر لیست کرده ایم ، پس از مراجعه به سایت مورد نظر باید در سایت ثبت نام نموده  و بعد با وارد کردن اطلاعات مورد نظر در همان سایت وارد میز کار وبلاگ خود شوید و از آنجا میتوانید وبلاگ خود را ویرایش کرده و مطلب ارسال نمایید.

برخی از سرویس دهنده های وبلاگ فارسی 

www.parsiblog.com

www.blogfa.com

www.mihanblog.com

www.samenblog.com

طریقه ساخت ایمیل ، چگونه یک ایمیل شخصی بسازیم؟

برای ساخت ایمیل ابتدا باید یک سایت دارای سرویس ایمیل عمومی را به عنوان سرویس دهنده خود انتخاب نماییم و سپس با مراجعه به آن اقدام به ساخت ایمیل نماییم که برای این کار سایت های زیادی وجود دارند که تعدادی از معروف های آن را برای شما معرفی می نماییم ، اما مهمتر از همه این است که سایتی که انتخاب میکنیم ایرانی باشد یا خارجی که آن هم بسته به سلیقه شماست ولی بنده سایت های ایرانی را پیشنهاد میکنم چون هم دارای سرعت بیشتر و هم اطمینان بیشتری نسبت به سایت های خارجی دارند و از آن گذشته بهتر ازاست از تولید داخل حمایت شود تا خارج.

برخی از سایت های ارائه دهنده سرویس ایمیل :

www.yahoo.com   خارجی

www.gmail.com     خارجی

www.aol.com        خارجی

www.mail.com       خارجی

www.sabamail.com      ایرانی

www.mailfa.com         ایرانی

www.mihanmail.com     ایرانی

پس از ورود به سایت مورد نظر روی دکمه ثبت نام یا sign up کلیک کرده و با پر کردن فرم مربوطه ایمیل شما ساخته میشود.

1- برای چک کردن ایمیل خود باید به سایت خود مراجعه کردن و اطلاعات و رمز عبور خود را وارد کنید

2- آدرس ایمیل شما به صورت زیر خواهد بود

com. سایت ارائه دهنده @ نام ایمیل انتخابی

3- برای ارسال کردن ایمیل هم باید به سایت مراجعه کنید و وارد شوید.

روش ساخت اشتراک Apple ID

پیش از شروع مراحل ساخت اکانت توجه داشته باشید که باید iTunes 10.3.1 یا قدیمی‌تر را برروی کامپیوتر خود نصب کرده باشید در غیراینصورت با پیغام خطا مواجه خواهید شد. همچنین باید IP آدرس اینترنتی خود را تغییر دهید تا اپل متوجه نشود که شما از ایران به iTunes متصل شده‌اید برای این کار نیز باید برروی کامیپوتر خود از VPN و یا سرویس‌های مشابه استفاده کنید تا IP شما تغییر کند. سپس می‌توانید مراحل نصب را دنبال نمایید

یک

آی‌تیونز را اجرا نموده و سپس از ستون سمت چپ گزینه iTunes Store را انتخاب کنید، سپس از طریق کادر جستجو در گوشه راست بالای برنامه عبارت Free App یا Free Game را جستجو کنید. پس از آن از لیست نرم‌افزار و یا بازی‌های لیست شده یکی از آنهایی که دکمه Free در مقابلش وجود دارد را انتخاب کنید.

دو

در این مرحله از شما درخواست می‌شود که در iTunes لاگین کرده و یا اکانت جدید بسازید، روی دکمه Create Apple ID کلیک کنید:

سپس صفحه خوش‌آمد گویی نمایش داده می‌شود، برای ادامه کار برروی Continue کلیک کنید:

سه

در این مرحله قوانین و مقررات و شرایط استفاده از سرویس‌های اپل نمایش داده می‌شود صفحه را به پایین اسکرول کرده سپس گزینه I have read and agree to these terms and conditions را انتخاب نموده و برروی دکمه Agree کلیک کنید:

چهار

در این مرحله مشخصات خود را با دقت وارد نمایید. آدرس ایمیل می‌بایست معتبر باشد در غیراینصورت نامه فعال‌سازی اکانت اپل که به ایمیل شما ارسال خواهد شد را دریافت نخواهید کرد. رمز عبور انتخابی نیز که می‌بایست در کادر Password و Verfiy Password بصورت یکسان تکرار شود، باید پیچیده باشد یعنی در انتخاب رمز خود باید از حروف کوچک و بزرگ بعلاوه اعداد و کارکترهای خاص استفاده نمایید به عنوان مثال رمز عبور شما می‌بایست چنین باشد: M7652jack#

در قسمت Security Question نیز باید یک سوال را انتخاب نموده و یک پاسخ نیز برای آن وارد کنید. این پرسش و پاسخ‌ها زمانی به کار شما خواهد آمد که رمز عبور اکانت اپل خود را فراموش کرده باشید. پس سعی کنید جواب‌های منطقی را انتخاب کنید.

به شما پیشنهاد می‌کنیم تا در قسمت Rescue Email Address نیز یک ایمیل معتبر وارد کنید تا در صورت فراموش شدن رمز عبور از طریق آن بتوانید رمز خود را بازیابی کنید. در نهایت تاریخ تولد خود را وارد کنید. در این قسمت نیازی نیست به خود سخت بگیرید اگر تاریخ تولد خود را به میلادی نمی دانید یک تاریخ تولد غیرواقعی را وارد کنید. و برروی دکمه Continue کلیک کنید.

پنج

در این مرحله نیز باید اطلاعات را با دقت وارد نمایید. اطلاعات مربوط به شماره تلفن، آدرس، کدپستی و غیره می‌بایست با یکدیگر هم‌خوانی داشته باشند. برای پر کردن این اطلاعات دو راه پیش‌رو دارید یا از بالای کار نمایش داده شده برروی select a countery or region کلیک کرده و کشور را به United States تغییر دهید و اطلاعاتی که ما در ادامه به شما پیشنهاد می‌دهیم را برای آدرس و کدپستی و غیره وارد کنید و یا از روش دوم عمل کرده و آدرس مرتبط با IP خود را تولید کرده و از آن استفاده کنید. 

5 - روش 1

از بالای صفحه کشور United States را انتخاب نموده و برروی دکمه Change کلیک کنید. در این حالت مجددا تایید قوانین و مقررات درخواست می‌شود، پس از آن مجددا به همین صفحه باز می‌گردید:

حالا که کشور برروی United States تنظیم شده ابتدا Payment Type را برروی None تنظیم نموده و سپس نام و نام خانودگی و جنسیت خود را به ترتیب در کادرهای Name و Lastname وارد کنید. سپس باقی مقادیر را براساس موارد زیر وارد کنید.

• Street: 1 Infinite loop
• City: CUPERNITO
• Province: CA
• Zipcode: 95014-2083
• Tel: 031 1298567

سپس برروی دکمه Create Apple ID کلیک کنید اگر بخت با شما یار باشد ساخت اکانت Apple ID به پایان رسیده است. 

 5 - روش 2

یک پژوهشگر ایرانی سریع‌ترین ترانزیستور جهان را ساخت - این خبر توسط سایت های معتبر خبری منتشر شده است

یک عضو هیات علمی گروه الکترونیک دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موفق به ساخت سریع‌ترین ترانزیستور جهان شد که می‌تواند تحولی مهم در ابررایانه‌ها و سایر تجهیزات پیشرفته الکترونیکی با کاربردهای ویژه ایجاد کند.
به گزارش ایسنا، مقاله مربوط به طرح ابتکاری دکتر فرشید رییسی که در مجله معتبر بین‌المللی آمریکا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیک جهان داشته است.

دکتر رییسی با بیان این مطلب اظهار کرد: در طراحی این ترانزیستور به جای الکترون از سالیتان که با سرعت نور حرکت می‌کند، استفاده شده است.

عضو هیات علمی گروه الکترونیک دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این طرح نسبت به ترانزیستورهای معمولی گفت : ترانزیستور می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی که توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل کند.

دکتر رییسی افزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده و سرعتی حدود 8 گیگا هرتز دارد که در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی سه برابر بیشتر است و هر چه ابعاد آن کوچکتر باشد، سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد.
دکتر رییسی با اشاره به این که قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج کشور تهیه می‌شود، اظهار کرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است که متاسفانه در کشور وجود ندارد، ‌در حالی که هزینه تهیه یک آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای کنونی بسیار کمتر است.
وی افزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در کشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت فرکانسی آن را به حدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها و فعالیت‌های دفاعی که سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به کار رود.

این پژوهشگر در پایان خاطر نشان کرد: ترانزیستور سالیتانی علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریع‌ترین ترانزیستور‌های موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با کاربری در CPU‌ها بسیار ارزانتر است.
گفتنی است، دکتر رییسی تحصیلات کارشناسی خود را در رشته مهندسی الکترونیک در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» و تحصیلات کارشناسی ارشد و دکتری خود را در دانشگاه ویسکانسین - مدیسون آمریکا به پایان برده، علاوه بر این طرح، تحقیقات و مقالات علمی متعددی داشته که در معتبرترین نشریات و کنفرانس‌های بین‌المللی فیزیک ارائه شده است - 

منبع : سایتهای خبری

طرز بستن دوربین مدار بسته آموزش بستن دوربین مدار بسته مدار دوربین مدار بسته نقشه دوربین مدار بسته کاتالوگ انواع دوربین مدار بسته نقشه دوربین مدار بسته طرز سیم کشی دوربین مدار بسته اجزای دوربین مدار بسته قطعات دوربین مدار بسته کاربرد دوربین مدار بسته طریقه ضبط تصویر با دوربین مدار بسته دوربین مدار بسته چگونه کار می کند مدارات دوربین مدار بسته 

هر دوربین مدار بسته حرفه ای از پنج قسمت تشکیل شده :

1= دوربین

2= آداپتور دوربین

3= سیم رابط

4 = دستگاه ضبط دیجیتالی dvr

5= نمایشگر ( تلوزیون )